O desenvolvimento se baseia em uma nova célula de memória que reduz pela metade o consumo de energia durante o processo de escrita de dados, uma nova arquitetura com características de alta velocidade e excelente desempenho.
As empresas Nec e Toshiba conseguiram reduzir o consumo de energia criando um novo formato para a junção de tunelamento magnético que armazena a informação. Ao invés de ser retangular, a nova junção possui saliências laterais em arco no centro. A corrente necessária para a escrita foi reduzida, além de proporcionar a redução no número de erros de escrita, mesmo se houver flutuações nas características de chaveamento de cada célula. Estas empresas anunciaram também que esperam desenvolver todos os processos técnicos para produção em escala industrial da nova memória não volátil ainda em 2005.
Propostas básicas para as estruturas das MRAM:
- NA primeira proposta, acopla cada célula a um transistor, o que melhora o tempo de leitura, mas aumenta o tamanho da célula.
- Na segunda proposta, chamada de estrutura de ponto cruzado, o transistor é retirado de cada célula individual, o que reduz o tamanho da célula, mas aumenta o tempo de leitura e o número de erros, devido à geração de correntes de fuga, que se dirigem para células não desejadas.
A nova MRAM utiliza uma estrutura de ponto cruzado na qual um transistor controla quatro células. Com isto as células têm o mesmo tamanho que as células das memórias DRAM convencionais, e o tempo de leitura ficou em torno de 250ns, quatro vezes mais rápido do que as MRAM com a estrutura convencional.
A Freescale Semiconductor anunciou em 2007 a fabricação comercial da produção em escala do primeiro chip MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) do mercado. A nova memória, de 4 Mb (Megabits) utiliza atração magnética para reter os dados, e combina a maior velocidade com a economia em preço das memórias RAM.
Ela combina a maior velocidade e a economia em preço das memórias RAM (que fazem gravações por sinais elétricos), que gravam dados apenas temporariamente, à capacidade de reter informações mesmo depois que a fonte de energia é desligada das memórias Flash (que fazem gravações por sinais magnéticos).
Os novos chips poderiam, por exemplo, ser usados para fazer processo de inicialização instantânea do computador, segundo Andreas Wild, diretor de tecnologia da Freescale para Europa, Oriente Médio e África. A tecnologia substituiria a memória ativa usada hoje para acelerar o processo.
A MRAM também poderia substituir outros tipos de memória, como a Flash e a EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM), que sofrem de um problema de limitação de duração.
Estas tecnologias utilizam um componente no chip que agüenta um número limitado de reprogramações, segundo o executivo. A MRAM não traz o mesmo problema de dano por uso e pode suportar um número ilimitado de reprogramações.
*Fontes:
http://www.guiadohardware.net/termos/mram
http://www.domaintec.com/a3pmram.html
http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=010110041216
http://www-als.lbl.gov/als/workshops/scidirecthtml/4Magnetic/magnetic.html
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